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广东博观科技有限公司产品介绍
    公司初期设计研发的NOR闪存芯片系列包括从4 Mb到256 Mb的3V和1.8V产品。我们计划在前两年一共开发三条产品线:GL产品线、SL产品线、WS产品线。具体介绍如下:

    GL产品线: 并行闪存
    我们提供的NOR闪存GL产品线兼容国际通用JEDEC标准,具有低功耗、高性能、高可靠性等特点。该产品线应用领域十分广泛:机顶盒、手机、 电视机、网络通信、计算机、数码相机等。

   
SL产品线: 串行闪存
    我们提供的NOR串行闪存引脚数很少,从而降低了对微控制器外接引脚数和封装尺寸的要求。其较小的封装尺寸有助于缩减板层空间,缩减系统设计的成本。同时芯片之间的连接不会随着闪存容量的增加而增加。我们计划提供4Mb至64Mb完整的串行闪存系列产品。我们的产品兼容双输出和四输出,可以满足高速应用的需求。
    该产品的应用领域为:机顶盒、DVD、电视机、蓝牙、MP3播放器、DSL调制解调器、光存储、硬盘、主板BIOS、打印机、数码相框、无线LAN、LCD显示器、数字收音机、手机等。

   
WS产品线: 同步并行脉冲模式和分页模式NOR闪存
    我们准备提供的无线NOR闪存解决方案,支持x8/x16选择配置,支持高数据传输速率的脉冲串和分页模式接口,具有同步读写功能,并与传统接口、脉冲串模式和分页模式接口兼容。我们的无线NOR闪存芯片支持广泛的客户应用,产品线完全兼容国际大公司的同类产品线。


“突破内存墙”做世界领先的高性能通用CPU

    珠海凯芯半导体科技有限公司王去非博士在其博士研究期间,在高性能CPU(中央处理器)设计方面,做出了重大理论发现,并在此发现的基础上,发明了一个新的CPU缓存电路架构,已经获得美国专利(专利号7783836)。该发明能够降低CPU缓存失误高达50%,可以大幅减少了CPU核心的空闲时间,从而成倍地提升CPU的实际性能。此发明突破了CPU的性能瓶颈,“内存墙”问题,是这30年来最大的提高。不仅如此,此发明在成倍提高CPU性能的同时亦可大大降低功耗和CPU的设计及生产的成本。
    珠海凯芯半导体公司的这项突破,在国际上处于技术领先地位。通过其实用化,可以大幅度提高国产CPU的性能指标,有巨大的商业价值和战略意义。此项目对上下游产业的拉动效应非常大,可以带动国内IC行业的一次大发展。
    目前,凯芯已经完成了新CPU缓存的电路设计,并进行了详细的全系统的软件模拟实验验证。现在正在寻找资金用于完成65纳米或更高工艺的实验芯片的流片和量产。

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